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利用第一性原理局域密度自旋近似方法,研究了缺陷诱导的GaN的内禀磁性以及Si掺杂对缺陷GaN磁性的影响.研究发现缺陷诱导GaN的内禀磁矩为3μB,Si掺杂后缺陷诱导的GaN磁矩发生淬灭为2μB.随Si含量的增加磁矩进一步减少.该理论结果对实验有指导意义.
Si掺杂对缺陷诱导的GaN磁性的影响
【摘 要】
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利用第一性原理局域密度自旋近似方法,研究了缺陷诱导的GaN的内禀磁性以及Si掺杂对缺陷GaN磁性的影响.研究发现缺陷诱导GaN的内禀磁矩为3μB,Si掺杂后缺陷诱导的GaN磁矩发生
【机 构】
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东华大学应用物理系,中国科学院上海技术物理研究所国家红外物理室,华东师范大学电子工程系
【出 处】
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红外与毫米波学报
【发表日期】
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2011年3期
【基金项目】
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国家自然科学基金项目（61006091 60876067 60990312）, 973项目（2007CB92400）
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