【摘 要】
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通常,液相外延生长的GaP发光二极管用渐冷法制成,并用氮作为发光中心以提高其发光效率。如我们过去发表的报告中所述,生长时温度的变化对外延层晶体质量有坏影响。掺氮的GaP
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通常,液相外延生长的GaP发光二极管用渐冷法制成,并用氮作为发光中心以提高其发光效率。如我们过去发表的报告中所述,生长时温度的变化对外延层晶体质量有坏影响。掺氮的GaP发光二极管的发光峰值波长在室温时要大于～5600(?)。另一方面,在无氮GaP发光二极管中波长为5520～5560(?)。所以,掺氮的GaP发光二极管是黄绿色或黄色的。
In general, liquid-phase epitaxially grown GaP LEDs are fabricated using a gradual cooling process with nitrogen as the luminescent center to increase their luminous efficiency. As reported in our previous reports, changes in temperature during growth have a detrimental effect on the quality of the epitaxial layer crystals. The emission peak wavelength of nitrogen doped GaP LED is greater than ~ 5600 (?) At room temperature. On the other hand, in the nitrogen-free GaP LED wavelength 5520 ~ 5560 (?). Therefore, a nitrogen doped GaP LED is yellow-green or yellow.
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