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介绍了ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ二维数值模拟器的设计过程。耦合和非耦合相结合的迭代方法提高了收敛稳定性的计算效率。考虑了两种载流子的连续性方程及产生复合作用，精度较高。给出了利用该设计方法获得的ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ二维体电势分布及载流子浓度分布的三维输出图形。
SOI MOSFET二维数值模拟器的设计
【摘 要】
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介绍了ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ二维数值模拟器的设计过程。耦合和非耦合相结合的迭代方法提高了收敛稳定性的计算效率。考虑了两种载流子的连续性方程及产生复合作用，精度较高。给出了利用该设计方
【机 构】
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复旦大学电子工程系,200433
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1999年4期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目!（69876007）
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