在(110)单晶硅上获得高性能nFET

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根据Sematech研究员Rusty Harris所述,CMOS技术未来可能会从现今半导体工业的(100)取向硅晶圆转向使用(110)取向的晶圆。来自AMD公司的驻厂代表Harris与佛罗里达大学的Scott Thompson教授合作,研究发现制作在(110)晶圆的pFET速度通常比较快,而制作在(110)晶圆之上的nFET速度通 According to Sematech researcher Rusty Harris, the future of CMOS technology may shift from the (100) -oriented silicon wafer of today’s semiconductor industry to the (110) -oriented wafer. Harris, a resident company representative from AMD, in collaboration with Professor Scott Thompson of the University of Florida, found that pFETs fabricated on (110) wafers are typically faster and nFETs made on top of (110)
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