【摘 要】
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针对Nb-Si-N 纳米复合薄膜在沉积过程中Nb、Si、N 单原子与NbN 晶粒相遇之后聚集与分离情况进行了研究.采用基于密度泛函理论（DFT）第一性原理超软赝势平面波计算方法分别计算了
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针对Nb-Si-N 纳米复合薄膜在沉积过程中Nb、Si、N 单原子与NbN 晶粒相遇之后聚集与分离情况进行了研究.采用基于密度泛函理论（DFT）第一性原理超软赝势平面波计算方法分别计算了Nb、Si、N各单原子在NbN（001）表面绕2N2Nb岛的吸附作用和迁移过程. 计算结果表明,Nb、Si、N 单原子在2N2Nb岛旁边的吸附能最大位置分别为P3、P1、P2,吸附能分别为7.3067,5.3521和6.7113eV;Nb、Si、N单原子绕2N2Nb岛的迁移所需的激活能分别为2.62,1.35和5.094e
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