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垂直腔半导体光放大器（VCSOAs）的带宽通常较窄，通过改变其有源区一侧的DBR膜堆结构，构造无源腔与原有源腔相耦合的耦合腔结构可优化VCSOAs带宽。基于该结构模型，在反射工作模式下，利用传输矩阵方法对双腔和三腔结构的VCSOAs的增益带宽特性进行了分析。结果表明，在10dB的峰值增益水平下、带宽扩展至3nm以上，较单腔结构有了很大的提高，具有一定的现实参考意义。