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针对0.35 μm SiGe BiCMOS工艺,对隔离深槽表面形貌进行了研究.仿真及工艺结果表明,多晶硅回刻残留厚度h2、深槽顶部开口宽度Wtp以及刻蚀掩蔽氧化层残留厚度h3是影响深槽表面形貌的主要因素;当h2=220 nm,Wtp=0.7~0.9μm,h3=150~200 nm时,获得了较好的深槽表面形貌,其隔离漏电流小于0.05 nA/μm,可用于0.35 μm SiGe BiCMOS工艺的隔离.