纳米ZnO薄膜的激子光致发光特性

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【摘要】

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报道了纳米ZnO薄膜激子光致发光(PL)与温度的关系.首先利用低压-金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术生长ZnS薄膜,然后将ZnS薄膜在氧气中于800℃下热氧化2h获得纳米ZnO薄膜.X

【作者】

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肖芝燕张伟力张喜田关承祥刘益春张吉英

【机构】

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哈尔滨师范大学,哈尔滨师范大学,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

【出处】

：

发光学报

【发表日期】

：

2003年4期

【关键词】

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纳米ZNO薄膜激子光致发光特性温度半导体材料氧化锌薄膜低压-金属有机化学气相沉积 nanocrystalline ZnO thin film exc

【基金项目】

：

中国科学院"百人计划"，国家自然科学基金，黑龙江省自然科学基金，教育部科学技术研究项目，黑龙江省高校骨干教师创新能力资助计划，黑龙江省科技攻关项目

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报道了纳米ZnO薄膜激子光致发光(PL)与温度的关系.首先利用低压-金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术生长ZnS薄膜,然后将ZnS薄膜在氧气中于800℃下热氧化2h获得纳米ZnO薄膜.X射线衍射(XRD)结果表明,纳米ZnO薄膜具有六角纤锌矿多晶结构且具有择优(002)取向.室温下观察到一束强的紫外(3.26eV) 光致发光(PL) 和很弱的深能级(DL)发射.根据激子峰的半高宽(FWHM)与温度的关系,确定了激子-纵向光学声子(LO)的耦合强度(ГLO).

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