【摘 要】
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本文叙述了BARITT二极管中的噪声源。对噪声量度进行了数值计算,并与实验结果进行了比较。8千兆赫下,对给定的电流密度和掺杂浓度而言,最佳的噪声量度由器件宽度决定。掺杂浓
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本文叙述了BARITT二极管中的噪声源。对噪声量度进行了数值计算,并与实验结果进行了比较。8千兆赫下,对给定的电流密度和掺杂浓度而言,最佳的噪声量度由器件宽度决定。掺杂浓度为2.5×10~(15)/厘米~3、电流密度60安培/厘米~2时,能获得9分贝的噪声量度。
This article describes the noise sources in BARITT diodes. The noise measurements are numerically calculated and compared with the experimental results. For a given current density and doping concentration at 8 gigahertz, the optimum noise measure is determined by the device width. Doping concentration of 2.5 × 10-15 / cm3, the current density of 60 A / cm ~ 2, 9 dB noise measurements can be obtained.
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