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提出了注氢硅片表面借助键合氧化硅片进行剥离的热动力学模型，这种剥离现象是退火过程中氢离子注入区氢气泡横向增长的结果，氢气泡的增长速率依赖于氢复合体分解和氢分子扩散所需的激活能，氢气泡的半径是退火时间，退火温度和注氢剂量的函数，氢气泡的临地径可根据Griffith能量平衡条件来获得，根据氢气泡增长的这一临界条件，获得了不同劈裂温度所需要的剥离时间。