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本文介绍并讨论了一种ｎ阱ＣＭＯＳ与ｎ沟ＳＣＣＤ兼容的集成电路工艺。采用这种工艺研制的模拟延迟积分器，工作电压为１５－１８Ｖ，采样频率达１．３ＭＨｚ。
n阱CMOS与n型表沟CCD兼容的集成电路工艺
【摘 要】
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本文介绍并讨论了一种ｎ阱ＣＭＯＳ与ｎ沟ＳＣＣＤ兼容的集成电路工艺。采用这种工艺研制的模拟延迟积分器，工作电压为１５－１８Ｖ，采样频率达１．３ＭＨｚ。
【机 构】
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电子工业部第２４研究所
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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1995年5期
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