半绝缘多晶硅相关论文
半绝缘多晶硅(SIPOS)膜作为半导体器件的表面钝化膜质量好,性能优.本文对LPCVD法制备的SIPOS膜进行了分析.结果表明,掺氧SIPOS膜的......
半绝缘多晶硅(SIPOS)是一种掺氧多晶硅,其电阻率一般在10~8～10~(10)Ω·cm范围。在半导体器件中,用它取代SiO_2作钝化膜具有良......
通过对半绝缘多晶硅(SIPOS)膜纵向结构均匀性不同结果的对比,论述了SIPOS膜成分的纵向结构分布对晶体管的钝化作用的影响,同时根据......
为了突破传统LDMOS（lateral double-diffused MOSFET）器件击穿电压与比导通电阻的硅极限的2.5次方关系,降低LDMOS器件的功率损耗,提......
本文较详细地介绍了３ＫＤ２０９００高反压大功率硅ＮＰＮ晶体管的研制过程和生产工艺。该器件最大集电极电流Ｉｃｍ＝２０Ａ，最大耗散功率Ｐｃｍ－２５０Ｗ，Ｃ－Ｅ结反向击穿电压ＶＢＲ（ｃｅｏ）≥９００Ｖ，Ｃ－Ｂ结反向击穿电......
本文对ＬＰＣＶＤ半绝缘多晶硅（ＳＩＰＯＳ）薄膜工艺进行了研究，分析和讨论了工艺参数对薄膜淀积过程以及性能的影响。并较详细介绍了ＳＩＰＯＳ薄膜在高压功率器件领......
文章主要研究n'p、p'n和p'p三种SIPOS(半绝缘多晶硅)-Si异质结二极管的I-V特性,并算出了相应的理想因子和势垒高度。......
本文提出了高阻半导体薄层电阻的一种测量方法。将待测样品用平面技术制备成矩形,薄层电阻由所加直流电压和电流指示算出。测量精......
介绍了掺氧半绝缘多晶硅（Ｏ一ＳＩＰＯｓ）及掺氮半绝缘多晶硅（Ｎ一ＳＩＰＯＳ）薄膜的制备方法，生长条件及其在高可靠大功率开关三极管３ＤＫ１０６中的应用，以及主要电参数的测......
本文采用直流辉光放电法在台面功率半导体器件上生长SIPOS钝化膜．研究结果表明，SIPOS钝化的功率器件性能要好于聚酰亚胺钝化的功率器......
文章主要研究n’p、p’n和p’p三种SIPOS(半绝缘多晶硅)-Si异质结二极管的I-V特性,并算出了相应的理想因子和势垒高度。在同样掺杂......
