考虑MOS效应的锥型硅通孔寄生电容解析模型

来源 :电子与信息学报 | 被引量 : 1次 | 上传用户：anchor1989

【摘要】

：

该文采用求解泊松方程等数学方法,提出了考虑MOS效应的锥型硅通孔(TSV)寄生电容解析模型。基于铜材料TSV,对比了解析模型与Ansoft Q3D参数提取模型,得出在偏置电压为-0.4 V,0.5 V和1.0 V时,对于锥型TSV侧面倾角为75°,80°,85°和90°4种情况,多个参数变化时解析模型最大均方根误差分别为6.12%,4.37%,3.34%和4.84%,忽略MOS效应时,最大均方根误

【作者】

：

杨银堂王凤娟朱樟明刘晓贤丁瑞雪

【机构】

：

西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件重点实验室

【出处】

：

电子与信息学报

【发表日期】

：

2013年12期

【关键词】

：

集成电路锥型硅通孔寄生电容 MOS效应泊松方程 Integrated circuit Tapered Through-Silicon-Vias （TSV）

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