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在制备硅薄膜材料的PECVD系统中，分别采用普通平行板电极和网状电极，在相同的工艺条件下研究了电极结构对硅薄膜材料均匀性、电学性能以及微结构的影响。发现采用网状电极使薄膜（400-500nm）均匀性得到明显改善，在20cm×20cm内不均匀性从±12．6％下降到±2．1％。等离子体发光光谱的测试表明，网状电极可大大提高硅烷的利用率，因而在相同工艺条件下，生长微晶硅材料需要更高的功率密度，文中对实验结果进行了详细的讨论。