非应变盖层对应变结构中净应力的影响

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分析了应变外延层中非应变盖层厚度和在应变层上下界面的失配位错数目差对净应力的影响 ,对现有的单结点和双结点位错模型的净应力的表达式进行了修正 ,得到一个能将单、双结点模型统一起来且对任意盖层厚度都适用的表达式 .从而进一步完善了描述应变外延层中失配位错的产生和运动机制的理论
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对IRAS0 5 391 - 0 2 1 7,0 6 1 1 4+ 1 745和 0 6 2 0 9+ 0 42 1的12 COJ =1~ 0成图观测表明 ,3个源中均存在高速分子双极外向流 ,而且这些外向流都比较强 ,能量高达 1 0 45 × 1 0 -7J·s-1,质量流失率达 1 0 -5 M⊙/a .从成协红外源的位置、热辐射强度、能谱分布及色温度证认出它们很可能由一个源驱动 ,且驱动源
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