【摘 要】
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性能优越的Si基高效发光材料与器件的制备一直是Si基光电集成电路中最具挑战性的课题之一.Si基Ge材料不仅与成熟的硅工艺相兼容,而且具有准直接带特性,被认为是实现Si基激光
【基金项目】
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国家自然科学基金青年基金（批准号：61604041）、福建省自然科学基金青年基金（基金号：2016J05147）、福建省教育厅2017年高校杰出青年科研人才培育计划项目和福建工程学院校科研启动基金（批准号：GY-Z14073）资助的课题.
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性能优越的Si基高效发光材料与器件的制备一直是Si基光电集成电路中最具挑战性的课题之一.Si基Ge材料不仅与成熟的硅工艺相兼容,而且具有准直接带特性,被认为是实现Si基激光器最有希望的材料.对Si基Ge材料N型掺杂的研究有利于提示出其直接带发光增强机理.本文研究了N型掺杂Si基Ge材料导带电子的晶格散射过程.N型掺杂Si基Ge材料具有独特的双能谷（Γ能谷与L能谷）结构,它将通过以下两方面的竞争关系提高直接带导带底电子的占有率：一方面,处于Γ能谷的导带电子通过谷间光学声子的散射方式散射到L能谷;另一方面,处
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