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联华电子与IBM日前共同宣布，联华电子将加入IBM技术开发联盟，共同开发lO纳米CMOS制程技术。此次协议，拓展了双方于2012年签订之14纳米FinFET合作协议。拥有IBM的支持与know—how，联华电子将可持续提升其内部自行研发的14纳米FinFET技术，针对移动运算与通讯产品，提供富竞争力的低耗电优化技术。双方计划开发10纳米制程基础技术，以满足联华电子客户的需求。