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通过构造AIOx/WOy双层结构实现了阻变存储器的均匀性、低功耗等特性,该器件阻变层中的AIOx为氧空位渐变的梯度膜,从而使得形成的导电细丝更加稳定,在反复擦写过程中导电细丝断开和接上的位置基本不变,对应器件电学性能参数分布集中.采用阶梯脉冲信号结合Verify算法的方法对基于0.18/amCMOS工艺的Al/AIOx/WOy/W结构的阻变存储单元进行转换特性、可靠性的测试,统计结果表明:器件电学性能参数Ron、RoH和Vset等具有良好的均匀性,且无需高电压的初始置位过程;复位过程中复位电流小于15μA