ZnSe单晶生长及性能研究

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【摘要】

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采用物理气相输运法对ZnSe(4N)多晶原料在850℃±10℃进行提纯,再用高压坩埚下降法在1530℃、氩气保护气氛下生长出高质量ZnSe单晶体.研究了提纯过程温度的选择以及氧含

【作者】

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卢利平刘景和李建立万玉春张亮曾繁明

【机构】

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长春理工大学材料与化工学院

【出处】

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人工晶体学报

【发表日期】

：

2005年2期

【关键词】

：

ZnSe单晶物理气相输运法高压坩埚下降法透过率吸收系数发光效率 ZnSe single crystalphysical vapor transport

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采用物理气相输运法对ZnSe(4N)多晶原料在850℃±10℃进行提纯,再用高压坩埚下降法在1530℃、氩气保护气氛下生长出高质量ZnSe单晶体.研究了提纯过程温度的选择以及氧含量和压力对于晶体生长的影响.对生长出的单晶体进行均匀性测试表明ZnSe单晶完整性和均匀性良好.对ZnSe单晶进行光学性能测试分析表明ZnSe单晶的折射率高,吸收系数低,红外透过率大于70%.

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