【摘 要】
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采用反应磁控溅射在不同结构衬底上生长ZnO薄膜,通过X-ray衍射（XRD）及透射光谱来分析薄膜的成膜情况,并得出在Al2O3/AlN复合基上溅射沉积的ZnO薄膜比单独在AlN薄膜衬底的结晶质
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采用反应磁控溅射在不同结构衬底上生长ZnO薄膜,通过X-ray衍射（XRD）及透射光谱来分析薄膜的成膜情况,并得出在Al2O3/AlN复合基上溅射沉积的ZnO薄膜比单独在AlN薄膜衬底的结晶质量好且透过率也较高。而经不同的快速热退火温度验证,发现在400℃时,ZnO薄膜的结晶化及在（002）方向上的择优取向达到最好,并在可见光范围内的平均透过率达到88%以上。当退火温度超过450℃时,温度过高改变了ZnO薄膜的内部结构,使其氧原子和锌原子发生了较大距离的位移,导致薄膜内部缺陷的增多,从而存在过多的晶界,增
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