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为制备Ａｌ／ｐｚｔ／ｐＴ／Ｔｉ电容，研究了采用ＳＦ６／Ａｒ等离子体对Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３及Ｐｔ／Ｔｉ底电极进行反庆离子刻蚀的技术。较系统地研究了ＲＦ功率，ＳＦ６／Ａｒ流量比及气压对刻蚀速率的影响，找到了对ＰＺＴ及Ｔｉ进行ＲＩＥ的优化工艺条件，在不同的条件下得到对ＰＺＴ的刻蚀速率为２－７ｎｍ／ｍｉｎ；采用纯Ａｒ气体时Ｐｔ的刻蚀速率为２－６ｎｍ／ｍｉｎ；对于Ｔｉ可用ＨＣｌ及Ｈ２Ｏ２溶液进行腐蚀。