【摘 要】
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本文研究了硅全离子注入的平面型GaAs双栅MESFET.有源层注入条件为110ke V、3.5×10~(12)cm~(-2),接触层注入条件为50keV、8×10~(12)cm~(-2),退火条件为800℃30分钟.FET的铝
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金
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本文研究了硅全离子注入的平面型GaAs双栅MESFET.有源层注入条件为110ke V、3.5×10~(12)cm~(-2),接触层注入条件为50keV、8×10~(12)cm~(-2),退火条件为800℃30分钟.FET的铝栅1.5×300μm,Au-Ge-Ni为欧姆接触.器件用简化的陶瓷管壳或塑料封装.器件工作参数V_(DS)4V,V_(Q_1S)～-2V,V_(Q_2S)～0,实测1GH_2下最佳NF_(min)0.8db,Ga11.5db,与优质VPE材料制管有相同的结果.讨论了全离子注入的优越性以及材料性能对器件参数的影响.
In this paper, a planar GaAs dual-gate MESFET with all-ion implantation of Si is studied.The active layer is implanted at 110keV and 3.5 × 10 ~ (12) cm ~ (-2), and the contact layer is implanted at 50keV and 8 × 10 ~ 12) cm ~ (-2) and annealed at 800 ℃ for 30 minutes.The MOSFET's aluminum gate is 1.5 × 300μm and Au-Ge-Ni is ohmic contact.The device is packaged in a simplified ceramic package or plastic. DS) 4V, V_ (Q_1S) ~ -2V, V_ (Q_2S) ~ 0, the best NF_ (min) 0.8db and Ga 11.5db at 1GH_2 were obtained, The superiority of injection and the influence of material properties on the device parameters.
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