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通过器件模拟并结合实验结果，在已有PIN（Positive intrinsic negative）和DPD（Double photo-diodes）探测器电路模型基础之上，对带浅沟槽隔离（STI）准PIN结构的DPD探测器电路模型进行了探讨。模拟了由深N阱和浅沟槽给DPD带来的性能上的改变，同时结合实验结果，从响应电流和探测器的等效串联电阻两方面对电路模型进行了修正，得到了符合该器件的较准确电路模型。