【摘 要】
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本文分析了线性电压扫描下MOS电容的C-t瞬态响应,在此基础上,发展了一种快速确定体产生寿命和表面产生速度的新方法.该方法实验手续和计算均较简单,适于在需要确定很多样品的
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本文分析了线性电压扫描下MOS电容的C-t瞬态响应,在此基础上,发展了一种快速确定体产生寿命和表面产生速度的新方法.该方法实验手续和计算均较简单,适于在需要确定很多样品的体产生寿命和表面产生速度场合下应用.
This paper analyzes the Ct transient response of MOS capacitor under linear voltage sweep, and on the basis of this, a new method to quickly determine the lifetime and the surface generation speed of the bulk is developed. The experimental procedure and calculation are both simple and convenient, Many samples need to be identified for their lifetime and surface production speed applications.
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