立方相β-GaN纳米晶的气相化学反应制备研究

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【摘要】

：

在氮气氛中 ,以GaP纳米晶为原料 ,在相对较低的反应温度下 ,通过N P取代的气相化学反应制备立方相 β GaN纳米晶 .这是由于GaP纳米晶具有较大的比表面积和表面众多的空位键 ,

【作者】

：

方鲲高善民邱海林曹传宝朱鹤孙

【机构】

：

北京理工大学材料科学研究中心,烟台师范学院化学与材料科学学院,北京理工大学材料科学研究中心,北京理工大学材料科学研究中心,北京理工大学材料科学研究中心北京100081北京科技大学材料科学与工程学院,

【出处】

：

物理学报

【发表日期】

：

2005年05期

【关键词】

：

氮化镓立方相纳米晶

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在氮气氛中 ,以GaP纳米晶为原料 ,在相对较低的反应温度下 ,通过N P取代的气相化学反应制备立方相 β GaN纳米晶 .这是由于GaP纳米晶具有较大的比表面积和表面众多的空位键 ,使之具有较高的反应活性造成的 .不同升温速率造成不同的化学反应机理 ,从而生成不同形貌的 β- GaN纳米晶材料 .

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