【摘 要】
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采用两个三级管基极一发射极串联的带隙基准可以降低运放失调电压的影响，但是在CMOS工艺中，三级管的正向电流放大倍数B很小，导致三极管基极电流的分流会对发射极电流产生很大影
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十七研究所
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采用两个三级管基极一发射极串联的带隙基准可以降低运放失调电压的影响，但是在CMOS工艺中，三级管的正向电流放大倍数B很小，导致三极管基极电流的分流会对发射极电流产生很大影响，带隙基准输出存在较大温漂。为了解决这个问题，提出了一种带基极电流补偿的低温度系数带隙基准源电路。电路设计采用TSMC0．25μm工艺，经过spectre仿真验证，进行-55℃-125℃的温区扫描，基准随温度变化范围为1．85mV，相应的温漂系数为8．44ppm／℃，加入基极电流补偿电路后电源电流只增加了0．5μA。
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