【摘 要】
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以硫氰酸铵和氯化镉为原料,采用无模板混合高温煅烧法一步合成氮化碳/硫化镉纳米晶(C3N4/Cd S)的复合半导体材料.采用X射线衍射、傅立叶变换红外光谱和透射电镜等技术对其结
【基金项目】
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supported by the Natural Science Foundation of Jiangsu Province(BK20140507)~~
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以硫氰酸铵和氯化镉为原料,采用无模板混合高温煅烧法一步合成氮化碳/硫化镉纳米晶(C3N4/Cd S)的复合半导体材料.采用X射线衍射、傅立叶变换红外光谱和透射电镜等技术对其结构和形貌进行了表征.以有机污染物罗丹明B(Rh B)为模拟污染物对复合催化剂的可见光催化活性进行测试.结果表明,C3N4/Cd S复合材料中Cd S以六方相纳米晶的形式均匀分散;Cd S的复合基本不改变C3N4主体结构及聚合度;与纯C3N4相比,复合材料在可见区的光吸收能力有所增强.合适的能带匹配有利于光生载流子的迁移,抑制了其复合速率.在可见光照射下,复合半导体能够更加快速的降解有机污染物,且保持很好的稳定性.
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