钇钡铜氧半导体薄膜的宽光谱响应特性

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:aibang027123456
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
对以Si为衬底的钇钡铜氧(分子式:Y1Ba2Cu3O7-δδ≥0.5,简称:YBCO)半导体薄膜的宽光谱响应特性进行了研究。采用该薄膜作灵敏元的单元测辐射热计分别对红外波段(1-15μm)、亚毫米波段(5个波长)及毫米波(3mm)进行光谱响应测试,结果表明这种半导体探测器不仅在红外波段,而且在亚毫米波甚至毫米波段都有良好的响应特性。该薄膜是继VO2薄膜之后用于非制冷红外焦平面的一种新材料。
其他文献
在有效质量近似框架内,采用绝热近似,计算了在量子阱中GaN/AlxGa1-xN自组织量子点系统的电子结构和光学性质,计算表明系统的电子能级随量子点受限势的坟大而升高,随量子点尺寸的
建立了一个价带附近的界面态密度分布模型,并用该模型较好地模拟了6H-SiC PMOS器件的阈值电压随温度变化的趋势、C-V特性以及转移特性。理论C-V特性曲线是用数值解泊松方程的
期刊
根据薄板弹性力学,推导了室温键合过程中硅片接触表面缝隙封闭的临界条件。硅片的表面起伏幅度、起伏的空间波长、表面张力、材料弹性和硅片厚度都是影响接触表面缝隙封闭的重
本文从班主任与学生之间关系构建的内涵入手,针对小学班主任与学生之间关系存在的相关问题,提出了和谐关系构建的措施,以加强班主任对学生的管理和引导,为学生的全面发展创造了良
本文运用ab initio自洽场方法,计算确定C28,C28C‘4,C28H4和C38@C等基团的优化分子构型,在此基础上,计算各基团的总能量,能级排列,电子态分布。用结合能分析基团的稳定性,认为C28,C28C’4,和C28H4是稳定的基团,通过分析成键特征
利用喇曼光谱研究了不同温度下在Si(100)衬底上异质外延Ge层由于扩散引起的Ge/Si异质结界面互混以及表面活化剂Sb对其的影响。结果表明表面活化剂Sb的存在大大抑制了界面的互扩散,在650℃下也没有观
等离子增强化学气相淀积SiNx薄膜在微电子和微机械领域的应用越来越重要。它的一个重要的物理参数-机械应力,也逐渐被人们所重视。本文研究了应力跟一基本的淀积条件如温度,压力跟一
对具有金属-半导体-金属(MSM)结构的CdSe探测器的噪声进行了实验观测,并对探测器中光生载流子的输运过程进行了分析,结果表明探测器的噪声是由从正极注入的空穴电流引起的。因此只
对聚焦离子束(FIB)的基本刻蚀性能进行了实验和研究,通过扫描电镜对FIB刻蚀坑的观测,给出了在不同材料上(硅、铝和二氧化硅)FIB的刻蚀速率及刻蚀坑的形貌同离子束流大小的关系。由