【摘 要】
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采用反应直流磁控溅射法在A12O3陶瓷基片上制备TaN薄膜，研究了氮流量（N2／（N2＋Ar））对TaN薄膜微结构及性能的影响。结果表明，随氮流量的增大，TaN薄膜的氮含量、电阻率、方阻以及TCR的绝
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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采用反应直流磁控溅射法在A12O3陶瓷基片上制备TaN薄膜，研究了氮流量（N2／（N2＋Ar））对TaN薄膜微结构及性能的影响。结果表明，随氮流量的增大，TaN薄膜的氮含量、电阻率、方阻以及TCR的绝对值逐渐增大，而沉积速率逐渐降低。当N2流量较低（2％～4％）时，TaN薄膜中主要含有电阻率和TCR绝对值较低的六方Ta2N相（hcp），薄膜的电阻率在344μΩ·cm到412μΩ·cm范围内，薄膜的TCR绝对值约为几十ppm／℃。当氮气流量较高（5％～6％）时，薄膜中Ta2N相消失，薄膜
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