自组织量子点的优化生长

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：baichuan817

【摘要】

：

在不同生长条件下，生长低组分InGaAs／GaAs自组织量子点并且使用接触式AFM进行测量．通过对生长条件的优化，得到高密度、高均匀性的量子点MBE生长条件，这对于自组织量子点在器件方面

【作者】

：

段瑞飞王宝强朱占平曾一平

【机构】

：

中国科学院半导体研究所新材料部

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2003年10期

【关键词】

：

INGAAS/GAAS 分子束外延原子力显微镜优化光电器件 InGaAs/GaAs quantum dot optimization MBE AFM op

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在不同生长条件下，生长低组分InGaAs／GaAs自组织量子点并且使用接触式AFM进行测量．通过对生长条件的优化，得到高密度、高均匀性的量子点MBE生长条件，这对于自组织量子点在器件方面的应用，比如量子点红外探测器和量子点激光器，是非常重要的．同时，还与优化的InAs／GaAs生长条件进行了比较．

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