溅射和硒化工艺对CIS薄膜性能的影响

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采用中频交流磁控溅射方法在镀有Mo薄膜的玻璃衬底上沉积Cu-In薄膜,然后在硒气氛下硒化形成CIS薄膜.对薄膜的成分、结构、表面形貌及电学性能进行了表征和检测.测试结果表明,CIS薄膜中Cu和In的含量主要取决于Cu-In薄膜中Cu和In的成分配比.CIS薄膜的表面形貌取决于溅射沉积Cu-In薄膜的靶电流密度.硒化过程中基片温度和硒源温度对CIS薄膜中Se含量及薄膜的微观结构和电学性能影响很大.在适当的硒化工艺条件下,获得了性能优异的CIS薄膜.
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