漂移区减薄的多沟道薄膜SOI LIGBT的研究(Ⅰ)——低压截止动态泄漏电流的温度特性

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ghostlei
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提出了一种新结构薄膜SOI LIGBT-漂移区减薄的多沟道薄膜SOI LIGBT(DRTMC TFSOI LIGB)。主要研究了其低压态泄漏电流在423-573K范围的 温度特性。指出,通过合理的设计可以使该种新器件具有很低的的截止态高温泄漏电流,很高的截止态击穿电压,足够大的正向导通电流和足够低的正向导通压降。还指出,它不仅适用于高温低压应用,而且适用于高温高压应用。
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