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为了探索SiC表面的结构和原子的能态，在650℃条件下，用低能电子衍射（LEED仪），观察到4H-SIC（0001）（3×3）重构面的LEED图样，利用配备有XPS设备的电子能量分析器，记录SIC（0001）（3×3）重构的角分辨x射线光电子能谱（xPs），得出该结构中Si2p和Cls的能态结构，进而发现SIC（0001）（3×3）重构面仅由硅原子形成，是在扭转的硅增层上的Si四聚物。通过比较体内和表面Si2p态的光电子能谱，得出表面Si2p态的漂移能量。