【摘 要】
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对离子束增强沉积(IBED)氧化钒薄膜作不同条件的退火,用X射线衍射分析薄膜的晶体结构;用电阻-温度测试分析了薄膜的热电阻温度系数.实验发现,沉积薄膜存在一个形成二氧化钒结
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对离子束增强沉积(IBED)氧化钒薄膜作不同条件的退火,用X射线衍射分析薄膜的晶体结构;用电阻-温度测试分析了薄膜的热电阻温度系数.实验发现,沉积薄膜存在一个形成二氧化钒结构的临界结晶温度,该温度随薄膜制备时离子束增强沉积条件的不同而改变.退火温度低于临界结晶温度时,很难使薄膜结晶成二氧化钒结构;高于临界温度较多的退火或形成VO2结构后再长时间退火,都会使VO2多晶薄膜中的钒分解降价,使薄膜的结构退化、性能变差.IBED多晶VO2薄膜在室温附近的电阻温度系数可达到4%/K以上.
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