论文部分内容阅读
研究了热载流子应力下栅厚为2．1nm，栅长为0．135μm的pMOSFET中HALO掺杂剂量与器件的退化机制和参数退化的关系．实验发现，器件的退化机制对HALO掺杂剂量的改变不敏感，但是器件的线性漏电流、饱和漏电流、最大跨导的退化随着HALO掺杂剂量的增加而增加．实验同时发现，器件参数的退化不仅与载流子迁移率的退化、漏串联电阻增大有关，而且与阈值电压的退化和应力前阈值电压有关。