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用电子束蒸镀方法在250℃～450℃的衬底温度范围内在单晶Si衬底（111）晶面上成功生长了Zn0.85Co0．14Cu0.01O薄膜，并研究了衬底温度对薄膜质量的影响，结果表明：当衬底温度为400℃时，外延膜取向性最好，且其（002）衍射峰半高宽最窄，仅为0．408°。
Zn0.85Co0.14Cu0．01O薄膜的制备及其微结构
【摘 要】
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用电子束蒸镀方法在250℃～450℃的衬底温度范围内在单晶Si衬底（111）晶面上成功生长了Zn0.85Co0．14Cu0.01O薄膜，并研究了衬底温度对薄膜质量的影响，结果表明：当衬底温度为400℃时，外延
【机 构】
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合肥师范学院物理与电子工程系
【出 处】
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合肥师范学院学报
【发表日期】
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2008年3期
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