【摘 要】
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利用自制的冷壁石英腔ＵＨＶ／ＣＶＤ设备，６００℃条件下，通过Ｇｅ组分渐变缓冲层技术，在Ｓｉ（１００）衬底上成功地生长出完全纪豫、无穿透位错的Ｓｉ０．８３Ｇｅ０．１７外延层，并在其上获得了具有张应变的Ｓｉ盖帽层。另外，还在５５０℃下生长了同样结
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利用自制的冷壁石英腔ＵＨＶ／ＣＶＤ设备，６００℃条件下，通过Ｇｅ组分渐变缓冲层技术，在Ｓｉ（１００）衬底上成功地生长出完全纪豫、无穿透位错的Ｓｉ０．８３Ｇｅ０．１７外延层，并在其上获得了具有张应变的Ｓｉ盖帽层。另外，还在５５０℃下生长了同样结构的样品，发现此样品厚度明显变薄，组分渐变导牟应变释放不完全，位错网稀疏而且不均匀，其上的Ｓｉ０．８３Ｇｅ０．１７外延层具有明显的空透位错。
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