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期刊论文
Si衬底上SiC薄膜的快速生长
Si衬底上SiC薄膜的快速生长
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ghostKill1
【摘 要】
:
用垂直式低压化学气相沉积(LPCVD)系统,在(111)和(100)Si衬底上快速外延生长了SiC.用Nomarski光学显微镜和X射线衍射(XRD)分析了SiC外延膜.探讨了生长速度与反应气体流量的关
【作 者】
:
李家业
赵永梅
刘兴昉
孙国胜
王雷
赵万顺
罗木昌
曾一平
【机 构】
:
中国科学院半导体研究所
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
2007年z1期
【关键词】
:
3C-SIC
快速生长
XRD
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用垂直式低压化学气相沉积(LPCVD)系统,在(111)和(100)Si衬底上快速外延生长了SiC.用Nomarski光学显微镜和X射线衍射(XRD)分析了SiC外延膜.探讨了生长速度与反应气体流量的关系,HCl在反应过程中的作用机理,以及在快速生长条件下外延膜的结晶和取向关系.
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