论文部分内容阅读
直接键合片界面的键合能依赖于界面成键的密度，是退火温度和时间的函数，界面反应激活能决定着成键的行为，硅片硅合能随退火温度分两步增加，这种现象归因于界面反应存在两种不同的激活能。将硅本征氧化层与硅热氧化层两种键合界面在退火过程中的行为进行了理论分析与比较。硅本征氧化层的健合能随温度的增加要比热氧化层界面大。键合能和饱和时间与激活能密切相关。