【摘 要】
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利用感应耦合等离子体(ICP)进行了InSb刻蚀研究.为了实现高的刻蚀速率同时保证光滑的刻蚀表面,研究中在CH4/H2/Ar气氛中引入了Cl2.研究发现,对InSb的刻蚀速率随Cl2含量及ICP
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利用感应耦合等离子体(ICP)进行了InSb刻蚀研究.为了实现高的刻蚀速率同时保证光滑的刻蚀表面,研究中在CH4/H2/Ar气氛中引入了Cl2.研究发现,对InSb的刻蚀速率随Cl2含量及ICP功率的升高而线性增加.当Cl2含量增加到超过12％或ICP功率大于900W时,刻蚀表面变得粗糙,而易引起刻蚀损伤的直流偏压随ICP功率的升高而降低.此现象归因于刻蚀副产物InCl3在样品表面的聚集进而妨碍均匀刻蚀反应所致.当样品温度从20℃提高到120℃,刻蚀速率及表面粗糙度无明显变化.通过试验研究,实现了对InSb的高速率、高垂直度刻蚀,刻蚀速率大于500 nm/min,对SiO2掩模刻蚀选择比大于6,刻蚀表面光洁,刻蚀垂直度可达80°.
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