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Improved empirical DC Ⅰ-Ⅴ model for 4H-SiC MESFETs
【机 构】
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KeyLabofEducationMinistryforWideBand-GapSemiconductorMaterialsandDevices
【出 处】
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中国科学：F辑英文版
【发表日期】
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2008年8期
【基金项目】
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Supported by the National Defense Basic Research Program of China （Grant No. 51327010101 ）
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