【摘 要】
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将磁控溅射法和真空退火工艺相结合,在Al2O3陶瓷基片上制备出VXOY薄膜,降低了实验对仪器精度的要求,提高了实验的成功率。对基片进行磁控溅射镀膜,在管式炉中进一步氧化处理
【机 构】
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63601部队,陆军工程大学强电磁场环境模拟与防护技术国防科技重点实验室
【基金项目】
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武器装备探索研究资助项目(713xxxxx)
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将磁控溅射法和真空退火工艺相结合,在Al2O3陶瓷基片上制备出VXOY薄膜,降低了实验对仪器精度的要求,提高了实验的成功率。对基片进行磁控溅射镀膜,在管式炉中进一步氧化处理生成表面均匀的V2O5,然后进行高温退火处理,对不同退火条件下生成的薄膜进行X射线衍射仪(XRD)表征和电子显微镜(SEM)观察。研究表明,通过对磁控溅射和真空退火工艺两个过程的控制参数优化设计,实现了高重复性VO2薄膜的制备;薄膜组份均匀性得到了显著改善;退火温度在475℃到525℃区间时可生成相变性能较好的VO2薄膜;退火温度为50
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