一种抗辐照SOI反相器

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制备了一种抗辐照SOI反相器,增加了一个上拉pMOSl和一个额外的nMOSl.当受到辐照后,pMOSl和nMOSl输出的高电平使下级输出管的源漏电压减小,降低了漏电流,有效地提高了输出端“高”电平.实验证明,该反相器在经受6×10^5rad(Si)的辐照后,输出“高”电平仍然未下降.
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