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期刊论文
一种抗辐照SOI反相器
一种抗辐照SOI反相器
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:weihc
【摘 要】
:
制备了一种抗辐照SOI反相器,增加了一个上拉pMOSl和一个额外的nMOSl.当受到辐照后,pMOSl和nMOSl输出的高电平使下级输出管的源漏电压减小,降低了漏电流,有效地提高了输出端“高”
【作 者】
:
赵洪辰
海潮和
韩郑生
钱鹤
司红
【机 构】
:
中国科学院微电子研究所,钢铁研究总院
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
2005年9期
【关键词】
:
辐照效应
反相器
输出高电平
radiation inverter output voltage
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制备了一种抗辐照SOI反相器,增加了一个上拉pMOSl和一个额外的nMOSl.当受到辐照后,pMOSl和nMOSl输出的高电平使下级输出管的源漏电压减小,降低了漏电流,有效地提高了输出端“高”电平.实验证明,该反相器在经受6×10^5rad(Si)的辐照后,输出“高”电平仍然未下降.
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