超突变结变容二极管的杂质浓度分布及n值

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lsh19

【摘要】

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讨论了国产和进口超突变结变容二极管的杂质浓度分布和n值,提出了提高国产超突变结变容二极管性能的措施 The impurity concentration distribution and n value of domesti

【作者】

：

翁寿松毛立平

【机构】

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无锡市无线电元件四厂!无锡214061,无锡市无线电元件四厂!无锡214061

【出处】

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半导体技术

【发表日期】

：

2000年01期

【关键词】

：

超突变结变容二极管杂质浓度分布 n值

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讨论了国产和进口超突变结变容二极管的杂质浓度分布和n值,提出了提高国产超突变结变容二极管性能的措施 The impurity concentration distribution and n value of domestic and imported super-mutant junction varactor are discussed, and the measures to improve the performance of domestic super-mute junction varactor are proposed

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