通态压降相关论文
为提升高压IGBT的抗短路能力,进一步改善短路与通态压降的矛盾关系,研究了IGBT背面工艺对抗短路能力的影响.通过TCAD仿真,在IGBT处......
为优化IGBT内部载流子分布,改善器件开通导通压降与关断损耗的制约,本文介绍了2005-2013年间ISPSD会议发表的具有代表性的IGBT表面......
基于传统晶闸管单扩散p层杂质浓度分布很难协调阻断电压、通流能力、通态压降、反向恢复电荷和关断时间之间的矛盾,无法使特高压晶......
分析了传统晶闸管结终端造型技术的优缺点。基于双负角结终端造型技术,通过径向变掺杂技术和类台面造型技术改进,发展了一种全新的......
采用沟槽栅结构、软穿通(SPT)技术和载流子存储层技术研制出一款增强型沟槽栅型(TMOS+)3 300 V IGBT芯片,其具有更低通态压降、更......
随着电力电子技术的飞速发展,电力电子系统已经被普遍应用于多个领域,如:新能源发电、电动汽车、船舶制造、航空航天。在这些领域......
随着功率半导体器件的不断发展和广泛应用,绝缘栅双极晶体管(insulate gate bipolar transistor,IGBT)的优越性能使其成为高压直流......
本文设计一款1700 V Planar NPT IGBT,首先进行理论分析,从理论上分析IGBT工艺参数与主要器件性能的关系.然后进行工艺设计,并......
本文介绍了IGBT (insulated gate bipolar transistor,绝缘栅双极型晶体管)的结构和基本工作原理,讨论了IGBT在设计中需要考虑......
本文结合实际工艺对3300V平面型FS IGBT器件进行了仿真研究。通过对器件p-base区、ri漂移区和FS层工艺的优化设计获得了击穿电......
该文介绍了一种新一代整流器件－－ＭＰＳ（Ｍｅｒｇｅｄ ＰＩＮ／Ｓｃｈｏｔｔｋｙ）。它集肖特基整流管和ＰＩＮ整流管的优点于一体，与普通整流管相比具有较小的储存电荷及较短的反向恢复时......
ＩＧＢＴ的关断特性和通态压降之间存在比较尖锐的矛盾，压降大关断特性好，关断特性好通态特性又差，这是设计和制造过程中要解决的主要问题之一......
该文从晶库管通态压降产生的方面入手，在分析通态压降产生机理的基础上，从协调开关时间与通态压降关系上提出双束质子辐照晶闸管。通......
该文对大功率电力半导体器件阻断电压、通态压降、门极电流的一致性与器件结构物理参数之产蝗关系进行了分析计算。计算结果表明，体......
该文研究了硅片中三种不同的金分布，并把这三种不同的金分布用于快速晶闸管，发现不同的金分布对管子的关断时间和通态压降等参数的协......
摘 要：功率晶闸管使用寿命与其工作温度密切相关，本文就对功率晶闸管通态压降和结温的关系进行了研究，并设计出了测试功率晶闸管的热......
该文根据SSPD的I-V特性,提出器件的基本结构形式为双端子对称双向晶闸管结构,为了改善器件的通态特性和提高浪涌能力,对SSPD的微观......
以静电感应晶闸管(SITH)的长期工艺实践为基础,总结和研究了器件结构参数对SITH主要性能参数的影响,并分析了其原因,提出了改善SIT......
功率晶体管(GTR)和绝缘门极晶体管(IGBT)具有控制方便、开关时间短、高频特性好、通态压降较低的特点,在变频调速和数字控制(如数......
本文针对PIN型整流管模型，全面优化了整流管设计制造过程，成功研制了世界上先进的ZP6000A/8500V特高压整流管。......
提出了一种新型SiGe/Si异质结P-i-N开关功率二极管结构,在分析器件结构机理的基础上,用Medici模拟了该器件的特性.结果表明,该功率......
在功率器件组合式绝缘栅双极型晶体管（CIGBT）的集电区采用条纹集电极结构，设计出一款3-3kV／800A条纹集电极CIGBT。根据条纹集电极CIGBT......
利用silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行了仿真,在同一电流密度下提取了不同栅极宽度IGBT的通态压降,得到了通态压降随栅极宽度变......
本文将晶闸管的共性理论与双向晶闸管特殊性结构相结合，并根据几年来的生产实践，摸索出了一套设计与制作的方法，并在实践中得到了很好......
本文利用非对称ｐｉｎ二极管模型，对新型多晶硅接触薄发现极晶闸管关断时间和通态压降之间的折衷关系进行了较了详细的理论分析和实验研究......
在分析晶闸管通枋压降产生的机理的基础上，从协调开关时间与通态压降关系入手提出了采用双束质子辐照晶闸管。．对ＫＫ２００Ａ半成品晶闸管进行能......
在建立GCT器件模型的基础上，研究了缓冲层与透明阳极结构对GCT性能影响。模拟结果表明，缓冲层与透明阳极各自区域中的总杂质量是决定......
传统沟槽型4H-SiC IGBT中关断损耗较大,导通压降和关断损耗难以折中。针对此问题,文中提出了发射极区域含有低寿命区,同时集电区引......
介绍了非对称型门极换流晶闸管的P基区结构.在建立门极换流晶闸管器件模型基础上,利用MEDICI软件分析了P基区结构对门极换流晶闸管......
将SiGe技术应用于功率半导体器件的特性改进，提出了新型SiGe/Si异质结p-i-n开关功率二极管结构，在分析器件结构机理的基础上，用Medici......
介绍了新型SiGe开关功率二极管结构及机理，在对器件正反向特性进行模拟的基础上进一步进行了优化设计，并对其动态特性进行了模拟。与......
建立了非对称型门极换流晶闸管器件模型，对其进行了工艺模拟和器件模拟。模拟结果表明，缓冲层与透明阳极各自区域中的杂质总量是决定......
碳化硅材料是一种具有高热导率、宽禁带、耐高温以及抗辐射能力强的半导体材料,近几年由于它优良的特性而受到国际社会的广泛关注,......
将SiGe技术应用于功率半导体器件的特性改进 ,提出了新型SiGe/Si异质结p i n开关功率二极管结构 ,在分析器件结构机理的基础上 ,用......
期刊
槽栅结构对功率绝缘栅双极晶体管(insulate gate bipolar transistor,IGBD的影响主要是n-漂移区的电导调制而不是对沟道电阻的改善......
作为电力电子技术基础的电力电子器件的发展令人瞩目。GTO与IGBT的应用方兴未艾,它们既竞争而又不能互相取代,但同时也暴露出了各......
在直流固态断路器的实际应用中发现,其通态压降将对低压直流配电网的系统潮流产生不可忽略的影响。因此,文中对考虑直流固态断路器......
在半导体器件的后部封装工艺中,不同的压焊方式会导致不同的铝丝和肖特基结接触面积,从而导致不同的接触电阻,最终影响肖特基器件......
阐述了关于协调ＩＧＢＴ通态压降和关断时间的最佳关系。在工艺过程中，控制双极晶体管电流增益αｐｎｐ的最佳值，就可调整通态和关断特性的相互关系......
本文对目前在电力电子技术中广泛使用的IGBT驱动模块EXB841的使用方法进行了改进,克服了EXB841本身的缺陷,提高了保护的可靠性和延......
功率半导体器件作为电力电子技术的核心单元,是此项技术的研究热点。CI GBT (Clustered Insulated Gate Bipolar Transistor)是一......
SiGe二极管(p~+(SiGe)-n~--n~+)作为SiGe／Si异质结材料系统研究的一个分支，由于具有显著改善原有Si PiN二极管性能并且较好兼容于Si......
学位
随着电力电子技术应用的深入，尤其是主开关器件工作频率的不断提高，对功率二极管性能提出了更高的要求，多年来硅P-i-N二极管一直在这......
学位
提出了一种新结构的 IGBT,取名为低功耗 IGBT(L PL- IGBT) ,它具有离子注入形成的超薄且轻掺杂的背P型发射区 ,从而具有 NPT- IGBT......
