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用低频倒置扭摆对生偏铌酸铅铁陶瓷的内耗进行了研究，在新加工的样品中发现了六个内耗峰，分别位于７０℃（Ｐ１峰）、９０℃（Ｐ２峰）、２００℃（Ｐ３峰）、２６０℃（Ｐ４峰）、４３０℃（Ｐ５峰）和５１０℃（Ｐ６峰）、对引起Ｐ３、Ｐ１、Ｐ２和Ｐ４峰的物理机制进行了详细探讨。分析结果表明，Ｐ３峰的本质是一宽化的Ｄｅｙｂｅ驰豫内耗峰，相应的激活能和指前因子分别为１．０１ｅＶ和２．４＊１０＾－１４ｓ。它源于氧空位