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欧拉电压是SiGeHBT一项重要的直流参数，受到基区结构（如Ge组分）的影响。研究发现，高温过程会导致硼的外扩散，从而影响异质结的位置，使欧拉电压受到影响。实验发现，通过优化基区结构，加厚CB结处i-SiGe厚度，可获得Va=520V，卢玖=164，320V的SiGeHBT。
SiGeHBT基区结构的优化对欧拉电压的影响
【摘 要】
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欧拉电压是SiGeHBT一项重要的直流参数，受到基区结构（如Ge组分）的影响。研究发现，高温过程会导致硼的外扩散，从而影响异质结的位置，使欧拉电压受到影响。实验发现，通过优化基区结构，
【机 构】
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清华大学微电子学研究所
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2006年5期
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