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用射频磁控溅射ZAO陶瓷靶的方法在石英衬底上成功制备了ZAO透明导电薄膜。用X射线衍射仪(XRD)、紫外可见(UV—Vis)分光光度计、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AEM)等手段,研究了薄膜的晶体结构、光学禁带宽度、表面和断面形貌与退火温度的变化关系。结果表明,低温段300℃以下退火的薄膜c轴较ZnO体材料有拉长现象;高温度段500℃到600℃退火的薄膜的晶粒直径变化平稳,其中500℃退火时,c轴也有拉长的效应,且形成良好的c轴趋向柱状晶薄膜;2.50℃退火时薄膜的光学禁带宽度最大,薄膜表面均