TA10表面纳米管阵列的制备及其光电化学性能

来源 :材料科学与工程学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:Lisa2005
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本文采用阳极氧化法,选用TA10(Ti-0.3Mo-0.8Ni)合金为原料,在反应过程中将Mo和Ni金属元素进行原位掺杂。在不同电压和不同时间两种试验因素下,探索了生成纳米管阵列的最佳电压和时间。采用扫描电子显微镜(SEM)观察纳米管阵列的形貌,X射线衍射仪(XRD)分析物相组成,以及电化学工作站测试动电位(I-V),光电流响应(i-t)和光电压响应(U-t)曲线。结果表明,在阳极氧化电压为20V,时间为1h的条件下纳米管阵列表现为最佳形貌,物相组合也为最佳。此时,饱和光电流密度为0.65mA·
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