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在恒压和恒流应力条件下测试了超薄栅氧化层的击穿特性，研究了TDDB（Time Dependent Dielectric Breakdown）的可靠性表征方法。对相关击穿电荷量QBD进行了实验测试和分析。结果表明：相关击穿电荷量QBD除了与氧化层质量有关外，还与应力电压和应力电流密度以及栅氧化层面积有关。对相关系数进行了拟合，给出了QBD的解析表达式。按照上述表达式外推的结果和实验值取得了很好的一致。提出了薄栅介质TDDB效应的表征新方法。